报 告 人 :罗旭 （重庆大学物理学院）
时 间 :2023年12月1号（星期五）下午 15点 00 分
地 点 : 物理学院 LE423
邀 请 人 : 软物质智能材料重庆市重点实验室
报告摘要：
薄膜晶体管（TFTs）是平板显示器技术中实现控制和显示效果的核心驱动元件。传统的薄膜晶体管主要采用非晶硅作为有源层，但由于其迁移率低，无法胜任下一代显示面板的要求。因此，高迁移率的非晶氧化物半导体（AOS）应运而生，铟镓锌氧化物（IGZO）就是其中一种被认为可以替代非晶硅的非晶氧化物半导体材料。然而，人们鲜有研究 IGZO TFT 的电极材料，本工作则主要是研究铝、铜和金三种不同电极对 IGZO TFT 电性能的影响。
报告人介绍：
2021年-2024年于重庆大学物理学院攻读硕士研究生（导师：方亮教授），目前研究方向为半导体材料与器件。
